طراحی تقویتک ننده توان دوبانده همزمان با سوییچ فعال در 0/9/2/4GHz در پروسه 0/18μm RF CMOS
Publish place: Tabriz Journal of Electrical Engineering، Vol: 46، Issue: 4
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 360
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_TJEE-46-4_009
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
در این مقاله، تقویتکننده توان دوبانده با توان خروجی بالا در پروسه استاندارد 0/18μm CMOS برای کد خوان RFID ارایه شده است. تقویت کننده توان در دو باند فرکانسی 0/9GHz و 2/4GHz به طور همزمان کار می کند. برای رسیدن به قابلیت خط سانی و توان خروجی بالا ازترکیب کردن چندین تقویت کننده کلاس AB استفاده شده است. تقویت کننده توان پیشنهادی شامل چهار بخش پیش تقویت کنندده، تقویت کنندهتوان اصلی، ترکیب کننده توان با استفاده از ترانسفورمر و مدار تطبیق خروجی است. ساختار طبقات توان به صورت تفاضلی و آبشاری به دلیلمزیت های این نوع ساختارها طراحی شده است. همچنین، در فیلترهای خروجی هر طبقه برای داشتن قابلیت دوبانده از فن سوییچ های فعالاستفاده می شود. برای تقویت کننده طراحی شده در فرکانس 0/9GHz مقدار توان خروجی، بهره توان و بازده PAE به ترتیب برابر با 33, 30dBmdB؛ 27% است. همچنین در فرکانس ، 2/4GHz مقدار توان خروجی، بهره توان و بازده PAE به ترتیب برابر با 28dB, 28dBm؛ 32/5% است.
Keywords:
Authors
جواد جاویدان
استادیار، دانشکده فنی مهندسی دانشگاه محقق اردبیلی اردبیل ایران
سپیده فاضل
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز گروه برق الکترونیک تبریز ایران