طراحی ساختاری از ترانزیستور ماسفت د وگیتی با به کارگیری دو ماده، اکسید هافنیم (HfO(2) و سیلیسیم ژرمانیوم (SiGe) در کانالی از جنس سیلیسیم (DM-DG)

Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 469

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_TJEE-47-1_023

تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396

Abstract:

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DG-DM ارایه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق (HfO(2در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق (HfO(2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهایمخرب در ساختار ارایه شده نسبت به ساختار دوگیتی معمولی به دلیل کاهش اثر حامل های داغ (HCE) و همینطور اثر کاهش سد پتانسیل بهدلیل درین (DIBL) پایین تر است. از طرفی برای اینکه تجمع حفره های اضافی را از سطح کانال دور کرده و باعث کاهش اثر بدنه شناور (FBE) وترانزیستورهای BJT پارازیتیک در ساختار شویم، از سیلیسیم- ژرمانیوم در ناحیه سورس استفاده می کنیم. نتایج شبیه سازی دوبعدی با نرم افزار شبیه ساز ATLAS نشان داده شده و به دلیل کوچک بودن طول ناحیه کانال (20nm) از مدل کوانتومی استفاده شده است.

Authors

حامد نجفعلی زاده

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

علی اصغر اروجی

استاد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران