حامد نجفعلی زاده - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران
علی اصغر اروجی - استاد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه سمنان، سمنان، ایران

در این مقاله ساختار جدیدی از ترانزیستور دوگیتی به نام ترانزیستور DG-DM ارایه شده است. در این ساختار با به کار بردن عایق (HfO(2در مرز ناحیه کانال و درین و همین طور استفاده از سیلیسیم ژرمانیوم در ناحیه سورس منجر به بهبود ساختار در مقایسه با ساختارهای متداول دوگیتی (C-DG) شده است. ناحیه عایق (HfO(2 به طور قابل توجهی میدان الکتریکی را در ناحیه کانال و درین کاهش می دهد؛ بنابراین فرآیندهایمخرب در ساختار ارایه شده نسبت به ساختار دوگیتی معمولی به دلیل کاهش اثر حامل های داغ (HCE) و همینطور اثر کاهش سد پتانسیل بهدلیل درین (DIBL) پایین تر است. از طرفی برای اینکه تجمع حفره های اضافی را از سطح کانال دور کرده و باعث کاهش اثر بدنه شناور (FBE) وترانزیستورهای BJT پارازیتیک در ساختار شویم، از سیلیسیم- ژرمانیوم در ناحیه سورس استفاده می کنیم. نتایج شبیه سازی دوبعدی با نرم افزار شبیه ساز ATLAS نشان داده شده و به دلیل کوچک بودن طول ناحیه کانال (20nm) از مدل کوانتومی استفاده شده است.

ماسفت دوگیتی، اثر کانال کوتاه، عایق (HfO(2، سیلیسیم- ژرمانیوم