تاثیر میدان مغناطیسی بر خواص الکترونیکی نقطه ی کوانتومی سهموی
Publish place: Journal of Iranian Association of Electrical and Electronics Engineers، Vol: 7، Issue: 1
Publish Year: 1389
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 598
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_JIAE-7-1_002
تاریخ نمایه سازی: 13 تیر 1396
Abstract:
در این مقاله، با استفاده از روش انتگرال مسیر مونت کارلو، انرژی نقطه ی کوانتومی سهموی در شرایط مختلف را محاسبه کرده و چگالی الکترون را به دست آورده ایم. نقش پارامترهایی مانند دما، تعداد الکترون های محصور شده در نقطه ی کوانتومی و بر هم کنش الکترون ها بر انرژی پایه ی نقطه ی کوانتومی را بررسی و چگونگی تشکیل مولکول ویگنر را تشریح کرده ایم. همچنین تاثیر میدان مغناطیسی بر انرژی نقطه کوانتومی و نقش آن در افزایش فاصله بین سطوح انرژی را به طور ویژه بررسی کرده ایم.
Keywords:
Authors
نسرین دخت باطنی پور
دانش آموخته، دانشکده فنی و مهندسی، واحد علوم و تحقیقات، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
کامیار ثقفی
استادیار گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شاهد، تهران، ایران
محمدکاظم مروج فرشی
استاد گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران