مدل بسته جریان ولتاژ در ترانزیستورهای نانو لوله کربنی آلاییده

در این مقاله مدل بسته ای برای منحنی مشخصه جریان ولتاژ ترانزیستورهای اثر میدانی شبه ماسفت با کانال نانولوله کربنی ارایه شده است. به منظور مدل سازی این نوع افزاره ها باید معادله یک بعدی جریان درین سورس که از مدل سازی عمومی بالستیک به کمک فرمول بندی لاندور به دست می آید به همراه معادله ای که وابستگی بین سطح فرمی و تراکم حامل ها ارایه می دهد به صورت خودسازگار حل شوند. همچنین برای محاسبه تراکم حامل ها لازم است انتگرال حاصل از ضرب چگالی حالت ها و تابع فرمی به صورت عددی محاسبه شود. این محاسبه قدری پیچیده است. در این مقاله با مطالعه رفتار این انتگرال در تمام نواحی و مطالعه تابعیت آن به سطح فرمی نشان داده ایم کهمقدار ان را می توان با معادله درجه ی دومی تقریب زد. بدین ترتیب یک مدل بسته جریان ولتاژ در هر دو ناحیه ی زیر آستانه و بالای آن به دست می آید. مقایسه نتایج بدست آمده با اندازه گیری های حاصل از شبیه سازی عددی نشان می دهد مدل بسته ی ارایه شده از دقت خوبی برخوردار است.

Keywords:

نانو لوله کربنی , مدل بسته ی جریان , ولتاژ , ترانزیستور اثر میدانی