طراحی، شبیه سازی و ساخت سوییچ خازنی RF MEMS بر روی بستر آلومینا

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 612

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JIAE-12-2_002

تاریخ نمایه سازی: 13 تیر 1396

Abstract:

در این مقاله طراحی، شبیه سازی و ساخت یک سوییچ خازنی RF MEMS موازی کم تلف بروی موجبر هم صفحه و بستر عایق آلومینا، در باند GHz؛ 60-40 ارایه شده است. مکانیزم تحریک این سوییچ بصورت الکترواستاتیکی است. ابتدا موجبر هم صفحه برای داشتن امپدانس مسخصه 50Ω بروی بستر عایق آلومینا طراحی شده، سپس سوییچ موردنظر طراحی و پس از انتخاب ابعاد آن، پارامترهای مهم آن توسط شبیه سازی المان محدود و موجی کامل با نرم افزارهای CoventorWare و HFSS بدست آمده است. د این مقاله نشان داده شده که سوییچ طراحی شده دارای عملکرد مناسبی در این باند فرکانسی است، بطوریکه ولتاژ پایین کشنده 19/25v، تلفات داخلی 0/8dB، تلفات بازگشتی بیشتر از 9/8dB و مقدار ایزولاسیون نیز 50dB حاصل شده است. با توجه به ابعاد طراحی شده، نمونه آزمایشگاهی سوییچ بروی بستر الومینا ساخته شده که براساس اندازه گیری های صورت گرفته، مقدار تلفات داخلی 2/5dB و تلفات بازگشتی از 10dB حاصل شده است.

Authors

سعید دل آرام فریمانی

دانش آموخته کارشناسی ارشد، دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران

حسن حاج قاسم

دانشیار، دانشکده علوم و فنون نوین، دانشگاه تهران، تهران، ایران

علیرضا عرفانیان

استادیار، دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی مالک اشتر، تهران، ایران

مجیدرضا علی احمدی

مربی، دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه مالک اشتر، تهران، ایران