بررسی رفتار الکتریکی کامپوزیت نانومتری اکسید روی
Publish place: National Conference on Nanomaterials and Nanotechnology
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,237
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NAYRC01_086
تاریخ نمایه سازی: 17 مهر 1387
Abstract:
در این پژوهش، مشخصه های E-J در دمای اتاق را برای نمونه های نانومتری ZnO-Bi2O3 با درصدهای مولی متفاوت اکسید بیسموت (0/25-1-1/5 mol%) که در دماهای مختلف (750-850-950درجه سانتیگراد) تف جوشی شده اند مورد بررسی قرار گرفت. دیده شد که ضریب ناخطی و مقاومت ویژه dc به ترکیب مواد در ساخت نمونه و دمای تف جوشی آن بستگی دارد. مقادیر این پارامترها برای به دست آوردن بیشینه ضریب ناخطی بهینه شدند. بیشینه مقدار ضریب ناخطی برای 1/5 درصد مولی Bi2O3 در دمای تف جوشی 850درجه سانتیگراد به دست آمد.
Authors
مریم زهرایی
گروه فیزیک دانشگاه اصفهان، خیابان دانشگاه، اصفهان