مدلسازی فازی ولتاژ آستانه در ماسفتهای سیلیکون روی الماس دولایه
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 454
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
این Paper در بخشهای موضوعی زیر دسته بندی شده است:
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_011
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
در این مقاله، به کمک شبیهسازی ادوات نیمههادی، ولتاژ آستانه را در یک ساختار سیلیکون روی الماس با کانال کوتاه و عایق دولایه بدست آوردهایم. در این ساختار عایق مدفون از دو لایه تشکیل شدهاست، لایهی عایق اول الماس وعایق دوم مادهای با گذردهی الکتریکی کمتر از الماس، مثل SiO2 است. این ساختار بهبود عملکرد ادوات سیلیکون روی عایق را موجب میشود، به طوری که اثرات خودگرمایی مشاهدهشده در ساختار سیلیکون روی عایق و کاهش سد پتانسیلناشی از ولتاژ درین در ساختار سیلیکون روی الماس را بهبود میبخشد. به منظور محاسبهی ولتاژ آستانه به کمک شبیهسازی ادوات نیمههادی، از نمودار Id-Vg استفاده میکنیم؛ و ولتاژ آستانه را بعنوان ولتاژ گیت در جایی که جریان درین برابر با 10μA/μm میشود، در نظر میگیریم. به منظور کنترل و شناسایی بهتر ورودیها از منطق فازی بهره میگیریم. به کمک مدلسازی فازی میتوان پارامترهای خروجی و نیز بازدهی را کنترل و تنظیم نمود
Keywords:
Authors
زهرا سپهری
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکدهی فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
آرش دقیقی
دانشیار گروه برق الکترونیک، دانشکدهی فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :