زهرا سپهری - دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکدهی فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
آرش دقیقی - دانشیار گروه برق الکترونیک، دانشکدهی فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران

در این مقاله، به کمک شبیهسازی ادوات نیمههادی، ولتاژ آستانه را در یک ساختار سیلیکون روی الماس با کانال کوتاه و عایق دولایه بدست آوردهایم. در این ساختار عایق مدفون از دو لایه تشکیل شدهاست، لایهی عایق اول الماس وعایق دوم مادهای با گذردهی الکتریکی کمتر از الماس، مثل SiO2 است. این ساختار بهبود عملکرد ادوات سیلیکون روی عایق را موجب میشود، به طوری که اثرات خودگرمایی مشاهدهشده در ساختار سیلیکون روی عایق و کاهش سد پتانسیلناشی از ولتاژ درین در ساختار سیلیکون روی الماس را بهبود میبخشد. به منظور محاسبهی ولتاژ آستانه به کمک شبیهسازی ادوات نیمههادی، از نمودار Id-Vg استفاده میکنیم؛ و ولتاژ آستانه را بعنوان ولتاژ گیت در جایی که جریان درین برابر با 10μA/μm میشود، در نظر میگیریم. به منظور کنترل و شناسایی بهتر ورودیها از منطق فازی بهره میگیریم. به کمک مدلسازی فازی میتوان پارامترهای خروجی و نیز بازدهی را کنترل و تنظیم نمود

سیلیکون روی الماس دولایه، سیلیکون روی الماس، ولتاژ آستانه، منطق فازی