مدلسازی ولتاژ آستانه ترانزیستور ماسفت دو گیتی با گیت دو مادهای متقارن در حضورحاملهای بار متحرک
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 737
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_096
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
در این مقاله یک مدل تحلیلی دوبعدی برای پتانسیل الکتریکی کانال ترانزیستور ماسفت دوگیتی دومادهای متقارن در حضور حاملهای بار آزاد کانال ارایه میشود. پتانسیل به صورت مجموع دو مولفه کانال بلند یک بعدی در راستای عمودبر کانال و مولفه کانال کوتاه دوبعدی ناشی از اثر میدان عرضی بیان میشود. با استفاده از مدل پتانسیل ارایه شده و مفهوم کاتد مجازی و مسیر هدایت موثر، روابط تحلیلی برای ولتاژ آستانه و کاهش سد پتانسیل با القای درین ارایه میشود. مدل پیشنهادی در همه شرایط کاری ترانزیستور )زیر و بالای آستانه( صادق است
Keywords:
بار آزاد , پتانسیل الکتریکی , ترانزیستور ماسفت دوگیتی , کاتد مجازی , کاهش سدپتانسیل با القای درین , ولتاژ آستانه
Authors
نسیم سلیمانی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد
سیدامیر هاشمی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :