مجید شکیب مهر - گروه مهندسی برق، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران
مجتبی لطفی زاد - عضو هیاتعلمی دانشگاه تربیت مدرس، تهران، ایران

در این مقاله، یک تقویتکنندۀ فوقکمنویز بهصورت یکطبقه و بهمنظور کارایی در دو محدودۀ فرکانسی اول (5GHz.2 الی 6GHz.2 )و دوم )0GHz.3 الی 1GHz.3 ) مورد طراحی و شبیهسازی قرار میگیرد. این تقویتکننده در کل پهنۀ فرکانسی مذکور باید دارای عدد نویز کمتر از 1dB ،بهرۀ کمینۀ 12dB و VSWR کمتر از 5.1 باشد. برای طراحی ابتدا با تکنیک سلفگذاری در سورس، ضریب پایداری تقویتکننده را افزایش داده و سپس مدارات تطبیق ورودی و خروجی برای باند فرکانسی اول طراحی میشود. بهمنظور اجتناب از تکرار مدار در باند فرکانسی دوم، تغییر در مقدار سلف مدار تطبیق خروجی با استفاده از تکنیک سوییچزنی ایدۀ مناسبی بود؛ چرا که عالوه بر عدم تاثیر روی عدد نویز، مقادیر قابلقبولی را برای سایر پارامترها بهدست میدهد. مقدار سلف بهکمک نرمافزار ADS تحلیل شد و مقدار بهینه برای آن انتخاب گردید. بهمنظور تغییر مقدار مذکور از یک MOSFET برای اضافه کردن سلف اضافی در مدار تطبیق استفاده شد. در گام بعدی، با انتخاب مدار گرایش )بایاس( مناسب و اتصال آن به تقویتکننده طرح نهایی شبیهسازی و بهینهسازی شد که در نهایت مطابقت قابلقبولی بین نتایج تحلیل و شبیهسازی مشاهده شد.

تقویتکنندۀ فوق کمنویز، پایداری، سوییچ فرکانسی، عدد نویز، نسبت موج ایستای ولتاژ