اپ امپ با بهره بسیار بالا مبتنی بر ساختارهای خودکسکود CMOS
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 455
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_310
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
تقویتکننده عملیاتی CMOS دو طبقه با بهره بسیار بالا ) 137 dB ( و ساختار سادهای بر طبق معماری کلاسیک ویدلر ارایه شده است. طبقه ورودی تفاضلی تقویتکننده عملیاتی مطرح شده، با ترکیب نسبت معکوس ابعاد ساختارهای خودکسکودی که برای بهرهبرداری در ناحیه زیرآستانه بایاس شدهاند، تکمیل میگردد تا حداقلسازی خازن جبرانکننده کلاسیک به 0.1 pF صورت پذیرد و به ذخیرهسازی قابل توجهی در سطح اشغال شده تراشه منجر گردد. به منظورمقایسه عملکرد تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی با طرحهای قبلا گزارش شده، شبیهسازیهای ADS از تکنولوژی 0.18μm CMOS با ولتاژ منبع ±1 V اجرا شدهاند. تقویتکننده عملیاتی پیشنهادی، حاصلضرب بهره پهنای باند بهتر - 1.37 MHz ، مصرف توان کمتر 21 μW و سطح تراشه اشغال شده کوچکتر 2<400 (μm) را نشان میدهد
Keywords:
Authors
الهام خوب جو
دانشجوی دکترا رشته برق الکترونیک دانشگاه آزاد واحد گرمسار ایران
حسن خالصی
عضو هیات علمی گروه برق دانشگاه آزاد واحد گرمسارایران