حسن کمالی - دانشجو گروه الکترونیک، دانشکده فنی مهندسی، واحد بندرعباس، دانشگاه آزاد اسلامی، بندرعباس، ایران
فرشاد بابازاده - استادیار گروه الکترونیک، دانشکده مهندسی برق، واحد یادگار امام خمینی (ره) شهر ری، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران،ایران

در این مقاله یک سنسور فشار تشدیدی با دو مد ارتعاشی طولی و موجی گزارش میشود. این سنسور از جنس سیلیکون بوده و براساس تکنولوژی MEMS طراحی شده است و در دو مد طولی و موجی دارای فرکانس تشدید میباشد. با اعمال فشار به ساختار، فرکانس تشدید آن تغییر میکند. مد موجی به فشار حساس بوده ولی مد طولی در برابر اعمال فشار از تغییر فرکانس تشدید کمتری برخودار است. ابعاد کلی ساختار μm 20 × μm 20 × μm 400 و ابعاد غشاء حساس به فشار μm 20 × μm 2 × μm 300 در نظر گرفته شده است. فرکانس ارتعاش مد موجی سی و نهم در غشاء برابر با MHz 122 و فرکانس ارتعاش مد طولی ششم برابر با MHz 120 بوده و جابهجایی فرکانسی مد موجی MHz 3937/2 و برای مد حجمی این جابه جایی برابر MHz 0334/0 میباشد. این سنسور در محیط نرمافزار ANSYS طراحی و شبیه سازی شده است.

سنسور فشار، MEMS ،مد طولی، مد موجی، ANSYS