سیدپیمان میرنظامی - گروه برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک اراک، ایران
حمدباقر توکلی - گروه برق و الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی، واحد اراک اراک، ایران

تقویت کننده های عملیاتی یکی از اجزا پر استفاده در طراحی مدارات الکترونیکی هستند و عملکرد آنها شامل بهره، پهنای باند و مصرف توان بسیار مهم هستند. هرچند تقویت کننده های ترانزیستوری با استفاده از BJT ها بهره های بالا و همچنین پهنای باند وسیعی دارند، ولی مصرف توان آنها بسیار بالاست. تقویت کننده های CMOS که در ناحیه وارونگی قوی عمل میکنند توان مصرفی کمتری از تقویت کننده های BJT دارند ولی معمولا بهره و پهنای باند کمتری دارند. با این حال تنها وقتی مدل های SPICE برای ترانزیستورهای CMOS برای شبیه سازی تمام نواحی وارونگی توسعه پیدا کرد، محققان به بررسی رفتار تقویت کننده ها در نواحی وارونگی متوسط و ضعیف پرداختند. در این پژوهش با استفاده از مدل دقیق BSIM3 که رفتار ترانزیستورها را در نواحی وارونگی ضعیف و متوسط مدل می کند به طراحی تقویت کننده ای عملیاتی پرداخته ایم که علاوه بر مصرف بسیار پایین توان بهره بالایی نیز داشته باشد

تقویت کننده عملیاتی؛ کسکود؛ بهینه سازی؛ وارونگی ضعیف؛ CMOS ؛ مدل BSIM