طراحی و شبیهسازی یک مدار تقویت کننده نویز پایین فراپهنباند (UWB) در باند فرکانسی 3.1-10.6 GHz وتکنولوژی 0.18μm CMOS برای استفاده در سیستمهای مخابراتی

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 493

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICEEE08_169

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

Abstract:

یک گیرندهی مخابراتی به عنوان یکی از ارکان سیستمهای - مخابراتی سیگنالی در حدود نانو ولت را دریافت میکند، بنابراین تقویتکننده کمنویز به عنوان دومین بخش این گیرندهها برای اینکه سیگنال را بدون اعوجاج عبور دهد باید بهرهی توان بالا و عدد نویز پایینی داشته باشد. با توجه به تاثیرات بسیار زیاد بهرهی توان و عدد نویز بر یکدیگر، در این مقاله به بهبود عدد نویز و بهرهی توان در یک تقویت- کننده کمنویز بصورتی موازی پرداخته شده است. مطابق قانون فریز تمرکز طراحیها بر روی طبقه ورودی قرار میگیرد و بنابراین برای دستیابی به عدد نویزی پایین و در کنار آن بهرهی توانی بالا، المانهایی که باعث کاهش بهرهی توان و افزایش عدد نویز در طبقه ورودی می شوند از مدار حذف میگردند؛ حذف این المانها ایجاد تطبیق را دچار مشکلاتی خواهد کرد که برای جبران آن، سلفهای تزویج پیشنهاد می- شوند. در ساختار پیشنهادی، مشابه با روشهایی که از سلف در سورستقویتکننده استفاده میکنند یک مقاومت بدون نویز ایجاد میشود که از آن میتوان برای ایجاد تطبیق امپدانس در باند وسیع استفاده کرد، در این ساختار به کمک سلفهای تزویج عدد نویز در حدود 3dB و بهره توان 12dB بدست آمده است. توان مصرفی ساختار طراحی شده کمتر از 10 mW میباشد که مقدار مناسبی است. پاسخ بهره بدست آمده بسیار تخت بوده و با توجه به عدد نویز پایین حاصل شده برای کاربرد در سیستمهای مخابراتی مناسب میباشد.

Authors

آسو کرده لاچین

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی، مهاباد، ایران

قادر یوسفی

گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد مهاباد، دانشگاه آزاد اسلامی، مهاباد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • N. Wongkomet, L.Tee and P.R.Gray, "A +31.5 dBm CMOS RFDoherty ...
  • P.R.Gray and r. Meyer, ?Future Directions of silicon ICs for ...
  • A. A. abidi _ A. rofougaran, G. Chang, J.rael, "Future ...
  • B. Razavi, T. Aytur, C. Lam, et al.، 0A UWB ...
  • A. Ismail, A. Abidi 4A 3.1 to 8.2 GHz direct ...
  • A. Batra, J. Balakrishnan, A. Dabak, et al.6 Multi-band OFDM ...
  • G. R. Aiello, G. D. Rogerson, '* Ultra-wi deband wireless ...
  • C. Liao, S. Liu, _ broadband _ oise-canceling CMOS LNA ...
  • T. H. Lee «The design of CMOS radi o-frequency integrated ...
  • F. R. Shahroury , C.-Yu WuA 41-v RF CMOS LNA ...
  • C.-Fan L, L. Shen-Iuan _ broadband n oise-canceling CMOS LNA ...
  • 1-10.6-GHz UWB receivers?, IEEE Journal of Solid State Circuits 2007 ...
  • I. mohamadi, A. sahafi , j. sobhi , Z. d. ...
  • F. Akbar, M. Atarodi, S. Saeedi.^ Design method for rec ...
  • Z. Hang , C. Gui-can «Design of fully differential CMOS ...
  • S. Toofan , A.R. Rahmati , A. Abrishamifar , G. ...
  • S. Toofan , A.R. Rahmati , A. Abrishamifar _ G. ...
  • نمایش کامل مراجع