محمد علیمرادی - دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی
مینا امیرمزلقانی - استادیار دانشکده برق، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی

در این مقاله، یک تقویتکننده توان جدید بر پایه دیود اثرمیدانی اصلاحشده در ابعاد نانومتری که کاربردی جدید از این قطعه میباشد -معرفی و شبیه سازی شده است. جهت به دست آوردن عملکرد مداری مطلوبتر، ساختار موردنظر به صورت پوشش سیلیکونی بر روی عایق و به صورت سه بعدی 3D طراحی شده است. تقویتکننده توان پیشنهاد شده یک پوشپول میباشد که توسط دو قطعه دیود اثرمیدانی اصلاحشده با طول کانال 57 نانومتر و ضخامت اکسید گیت 2 نانومتر طراحی، مدلسازی و شبیهسازی شده است. جهت اثبات ادعای عملکرد مناسب پوشپول برپایه دیوداثرمیدانی، مدار پوشپول مشابهی توسط ترانزیستور دوقطبی در ابعاد نانومتری نیز شبیهسازی گردیده است و عملکرد هر دو ساختار باهم مقایسه گردیده است. با اعمال ورودیهای برابر به هردو مدار، جریان خروجی مدار مشابه مدار پوشپول برپایه ترانزیستور دوقطبی 2.4 میکروآمپر و برای مدار پیشنهادی مدار پوشپول برپایه دیود اثرمیدانی حدود 2.9 میکروآمپر، توان خروجی مدار مشابه 1.1 میکرووات و برای مدار پیشنهادی 1.8 میکرووات و راندمان مدار پیشنهادی حدود9 درصدبالاتر از مدار مشابه بدست آمد. همچنین یکی از مهمترین عیوب مدارهای پوش پول که اعوجاج تقاطعی میباشد، در مدار پیشنهادی بسیار کمتراست.

پوشپول، تقویت کننده توان، دیود اثر میدانی اصلاح شده، شبیهسازی