شبیه سازی و تحلیل قطبش در تقویت کننده نوری نیمه هادی

تقویت کننده ی نوری نیمه هادی (SOA) در شبکه های مخابراتی نوری کاربرد فراوان دارد. از این قطعه به عنوان واحد بهره ی اصلی درشبکه های مخابراتی نوری استفاده می شود. SOA به قطبش سیگنال نور ورودی حساس است و عامل اصلی این حساسیت ، وابستگی بهره و فاز تقویت کننده به قطبش عرضی مغناطیسی و الکتریکی نور است. این وابستگی در اثر شماری از عوامل همچون ابعاد ، ساختار موجبری ناحیهفعال، پوشش های ضد انعکاسی ناحیه فعال و فرآیندهای غیرخطی در افزاره ایجاد میشود. در این مقاله اثر قطبش نور ورودی بر بهره و فاز SOAو همچنین تاثیر فرآیندهای غیرخطی بر شکل پالس خروجی بررسی شده است. ابعاد قطعه در رنج میکرومتر فرض شده و شبیه سازی ها کمکنرم افزار MATLAB انجام شده است. نتایج نهایی توسط حل معادلات انتشار پالس (معادلات نرخ) به کمک روشهای حل عددی بدست آمده اند.

Keywords:

تقویت کننده ی نوری نیمه هادی , قطبش نور , قطبش عرضی مغناطیسی , قطبش عرضی الکتریکی , معادلات نرخ