محمدرضا شریففرد - دانشجویی کارشناسی ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر
حسین رضا یوسف وند - استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی اسلامشهر

فلیپ فلاپهای توان پایین در طراحی های مدارات دیجیتال بسیار پر اهمیت هستند. در این مقاله پیاده سازی جدیدی برای D فلیپ فلاپ ها مبتنی بر ترانزیستورهایFinFETدر یکمدار شیفت رجیستر چهاربیتی ارایه شده است. تکنولوژی FinFETنسبت به MOSFET سنتی مزیتهای زیادی درعملکرد و بهرهوری انرژی دارند. نتایج شبیه سازی برای یک سلول D فلیپفلاپ در ساختارهای مبتنی بر تکنولوژیFinFET نسبت به تکنولوژی MOSFET حدود 72% افزایش سرعت و 37% کاهش توان مصرفی را نشان میدهد. علاوه بر این در همه شیفت رجیسترهای پیشنهادی شامل ساختارهای سری-سری SISO سری-موازی SIPO موازی- موازیPIPO موازی- سری PISO افزایشسرعت و کاهشتوان درتکنولوژی FinFET نسبت به MOFET مشاهده می گردد.

PDP. ،PISO ،PIPO ،SIPO ،SISO ، شیفترجیستر ،D فلیپ فلاپ نوع ،FinFET تکنولوژی