طراحی گیت NOR سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
عنوان مقاله: طراحی گیت NOR سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی
شناسه ملی مقاله: NSTE01_052
منتشر شده در اولین کنفرانس مجازی علوم مهندسی وفناوری نانو در سال 1395
شناسه ملی مقاله: NSTE01_052
منتشر شده در اولین کنفرانس مجازی علوم مهندسی وفناوری نانو در سال 1395
مشخصات نویسندگان مقاله:
میلاد قطب دینی - گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فخرالسادات رستگاری - گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فرحناز ذاکریان - گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد (مربی)
خلاصه مقاله:
میلاد قطب دینی - گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فخرالسادات رستگاری - گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فرحناز ذاکریان - گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد (مربی)
نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت NOR در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک در جهان امروز دارند همچنین ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های NOR با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد. دراین مقاله گیت های NOR سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 91 نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های NOR بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند.
کلمات کلیدی: گیت های NOR ، سه و پنج و هفت نه ورودی ، ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لولهکربنی ، تکنولوژی CMOS
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/624404/