بررسی مدارهای دومینو دارای شبکه ارزیابی متفاوت در فناوری 16 نانومتر
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 423
This Paper With 9 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_206
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
در این مقاله تکنیکهای مختلف مداری که از تغییر شبکه ارزیابی برای بهبود کارایی گیتهای دومینو عریض استفاده می کنند بررسی و مقایسه می گردند. پارامترهای تاخیر، توان مصرفی، مصونیت در برابر نویز و سطح تراشه مصرفی مدارهای مورد مطالعه با یکدیگر مقایسه می شوند. بدین منظور گیتهای دومینو عریض با استفاده از مدارهای مورد بررسی پیاده سازی شدند تا مشخص شود کدامیک از طرحهای مداری کارایی بهتری دارد. گیتهای عریض با استفاده از نرم افزار HSPICE در تکنولوژی 16 نانومتر CMOS در تاخیر یکسان شبیه سازی شدند. نتایج شبیه سازیها برای گیتهای OR عریض نشان می دهند که تکنیک مداری دومینو با ترانزیستور پایه دیودی (DFD) نسبت به سایر مدارهای مورد بررسی بهترین عملکرد را دارد.
Keywords:
Authors
محمد آسیایی
استادیار گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
حسین آقابزرگی
دانشجوی رشته مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه دامغان، دامغان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :