نسیم سلیمانی - گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
سیدامیر هاشمی - گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران

در این مقاله، برای یک ترانزیستور دو گیتی با گیت دو ماده-ای متقارن و با در نظر گرفتن حامل های متحرک بار کانال، با استفاده از پتانسیل دو بعدی کانال و مفهوم مسیر هدایت مجازی، رابطه ای تحلیلی برای شیب زیرآستانه ترانزیستور ارایه می شود. شیب زیر آستانه به صورت عکس تغییرات جریان درین نسبت به تغییرات ولتاژ گیت بیان می شود. جریان درین در شرایط زیر آستانه خود به بار کمینه کانال وابسته است که این بار در مکانی از کانال قرار دارد که در آن مکان پتانسیل در امتداد طول کانال کمینه خواهد شد. به ازای عمق مشخصی از کانال در این مکان که مسیر هدایت موثر نامیده می شود، مقدار بار کمینه و جریان زیر آستانه محاسبه خواهند شد و بر اساس آن شیب زیر آستانه به دست می آید. تطبیق مناسب نتایج مدل پیشنهادی با نتایج شبیه سازی ترانزیستور، درستی مدل پیشنهادی را نشان می-دهد.

بار وارونگی، ترانزیستور ماسفت دو گیتی ، شیب زیرآستانه، معادله پواسون