بهینه سازی پارامترهای ناحیه فعال لیزر آبشاری کوانتومی GaAs/AlGaAs و محاسبه مشخصات خروجی در عملکرد دمای اتاق
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 454
This Paper With 9 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF04_323
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
یک میدان مغناطیسی قوی در مسیر رشد لیزر ابشار کوانتومی اعمال می شود، ناحیه فعال به طیف حالات انرژی گسسته(سطوح لانداو) بالا می رود. به وسیله ترکیب مهندسی کوانتوم یک لیزر ابشار کوانتومی با یک میدان مغناطیسی ایستا، ما می توانیم فرآیند سکون الکترون غیرتابشی بین سطوح لانداو مربوطه ی یک چاه کوانتومی سه گانه را مانع شویم/ارتقا دهیم و انتخاب یک افزاره تابش سطح قابل تنظیم را تحقق ببخشیم. در این مقاله یک شبیه سازی عددی، به منظور ارایه پارامترهای ناحیه فعال لیزر آبشاری کوانتومی ماده GaAs/AlGaAs و محاسبه ویژگی های خروجی در میدان مغناطیسی را مورد بررسی قرار داده ایم و با تنظیم عرض چاه و ضخامت سد به طراحی بهینه پرداخته ایم.
Keywords:
Authors
مهدی مهدیخانی
دانشجو کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دوره عالی علوم و تحقیقات تبریز
علی رستمی
دکترای مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه تبریز
سیدسالار حسینی
دانش آموخته کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد دوره عالی علوم و تحقیقات تهران دانشگاه آزاد اسلامی، واحد تبریز، باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، تبریز،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :