فاطمه ندیمی - گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی ، واحد تهران مرکز، دانشگاه آزاد اسلامی ، تهران ، ایران
رضا کیوانیان - گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی ، واحد ساوه، دانشگاه آزاد اسلامی ، ساوه ، ایران
محمدمهدی محمودی - گروه برق، دانشکده فنی و مهندسی ، واحد ساوه، دانشگاه آزاد اسلامی ، ساوه ، ایران

این مقاله درباره طراحی LNA در فرکانس 2.45GHz در دمای اتاق با حداقل بهره 15db در سیستم اندازه گیری 50ohm می باشد. هسته طراحی تمام LNA ها انتخاب درست ترانزیستور می باشد. ما در این مقاله به این رسیدیم که ترانزیستور های دو قطبی سیلیکونی عدد نویز پایینی ارایه نمی دهند. FET های هترو استراکچرسیلیکونی و ژرمانیمی نیز عدد نویز پایینی به دست نمی دهند .اما نوع گالیم آرسناید آن به نظر انتخاب مناسبی می باشد . ما پارامتر های نویز چند ترانزیستور را با استفاده از داده هایی که توسط سازنده های آن دادهشده بود را مقایسه کردیم و متوجه شدیم که کمترین عدد نویز مربوط به ترانزیستور سیلیکونی دو قطبی 1db و ترانزیستور سیلیون ژرمانیم 0db می باشد. در این مقاله از ترانزیستورهای fhx45x و iT8002 می توان استفاده نمود.

تقویت کننده کم نویز ، ترانزیستور سیلیکونی دو قطبی، ads