بیوسنسور ISFET و روش های تصحیح ناپایداری ولتاژ آستانه
Publish place: دومین همایش ملی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق وکامپیوتر
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 797
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCAEE02_096
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
در کاربردهای بسیاری در پزشکی، تحلیل محیطی و صنایع شیمیایی نیاز به روشهایی جهت حس کردنمولکول های زیستی کوچک وجود دارد. حسهای بویایی و چشایی ما دقیقا همین کار را انجام میدهد وسیستم ایمنی بدن میلیون ها نوع مولکول مختلف را شناسایی می کند. شناسایی مولکولهای کوچک تخصصبیومولکولها است، لذا اینها شیوه جدید و جذابی برای ساخت سنسورهای خاص را پیش رو قرار میدهد. دومولفه اساسی در این راستا وجود دارد. المان شناساگر و روشهایی برای فراخوانی زمانی که المان شناساگرهدف خودش را پیدا میکند. اغلب المان شناساگر تحت تاثیر منبع زیست فناوری تغییر نمی کند. مشکلاصلی در این کار طراحی یک واسطه مناسب به یک وسیله بازخوانی بزرگ است. سنسورهای پتانسیومتریکاز اندازه گیری پتانسیل در یک الکترود مرجع نسبت به الکترود دیگر استفاده می کند. متداولترین فرمسنسورهای پتانسیومتریک ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون (ISFET) یا ترانزیستورهای اثرمیدانی شیمیایی (Chem-FET) است. ناپایداری ولتاژ آستانه که به طور مرسوم دریفت نامیده می شود، یکی از موانع جدی در راه عرضه تجاری زیست حسگرهای مبتنی برISFET می باشد. در این مقاله ضمن مروری بر انواع سنسورهای زیستی ، روشهای کاهش ناپایداری ولتاژ آستانه در سنسور ISFET را معرفی می شود.
Authors
علی الیاسی
گروه برق-دانشکده فنی مهندسی- واحد ساوه- دانشگاه آزاد اسلمی- ساوه- ایران
شهریار جاماسب
دانشگاه صنعتی همدان، دانشکده مهندسی پزشکی، همدان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :