بهنام بابازاده داریان - دانشجوی دکتری الکترونیک،گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی،گرمسار،ایران
عبدالله عباسی - گروه برق، واحد گرمسار، دانشگاه آزاد اسلامی،گرمسار،ایران

ساختار درین با آلایش کم LDD-CMOS به منظور کاهش خازن های پارازیتی، کاهش شدت میدان الکتریکی و کاهش احتمال تشکیل الکترون های داغ در تکنولوژی CMOS بکار برده میشود. پخش و کاشت یون دو روند کلیدی در تکنولوژی CMOS هستند که از آنها برای گزینش آلایش نیمه رسانا برای ایجاد ناحیه نوع p-و نوع n- و ایجاد نواحی LDD استفاده میشود. هدف از این مقاله تحلیل و شبیه سازی مراحل کاشت یون در LDD-CMOS در تکنولوژی μm1 و برگرفته از موسسه ISiT با استفاده از فناوری طراحی به کمک کامپیوتر میباشد. این فرآیند در محیط ATHENA نرم افزار SILVACO شبیهسازی و برخی از پارامترهای فن آوری، مانند تراکم p+وn+ غلظت دوپینگ و همچنین انرژی های کاشت یون و دوز ناخالصی ها بدست آمده است

تکنولوژی CMOSفناوری طراحی به کمک کامپیوترTCADکاشت یون