شبیه سازی و مقایسه ترانزیستورهای اثرمیدانی نانو نوار گرافنی،سیلیکن و ژرمانن با استفاده از روش تابع گرین

در این مقاله به بررسی عملکرد بالستیک ترانزیستورهای اثر میدانی نانو نوار مبتنی بر گرافن ، سیلیکن و ژرمانن پرداخته ایم.شبیه سازی ها در حالت بالستیک و با استفاده از روال تابع گرین غیر تعادلی NEGF و در فضای مد صورت گرفته است. نتایج حاصله نشان می دهد که ترانزیستور اثر میدان نانو نوار گرافنی دارای نسبت جریان روشنی به خاموشی بالاتر و توان مصرفی کم تر و تاخیر زمانی بیشتر و بازای کاهش ولتاز گیت دارای جریان تونل زنی کم تری نسبت به ترانزیستورهای اثر میدان نانو نوار سیلیکنی و ژرماننی می باشد

Keywords:

گرافن , سیلیکن , ژرمانن , فرمولاسیون تابع گرین NEGF معادله شرودینگر