محمد اسمعیل زارع داویجانی - دانشجوی دکتری الکترونیک گروه برق واحد گرمسار دانشگاه آزاد اسلامی گرمسار ایران
عبدالله عباسی - گروه برق واحد گرمسار دانشگاه آزاد اسلامی گرمسار ایران

در این مقاله ترانزیستور کاشت-رشد هم بافته ماسفت IEMOSFET مبتنی بر تکنولوژی SiC شبیه سازی و تحلیل شده است. تاثیر پروفایل رشد هم بافته کانال بر ولتاژ آستانه ترانزیستور بررسی خواهد شد. در واقع تاثیر پارامتر انحراف از معیار پروفایل گوسین تراکم ناخالصی کانال بر منحنی جریان درین-ولتاژ گیت و ولتاژ آستانه ترانزیستور را بررسی خواهیم کرد. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که با افزایش پارامتر انحراف از معیار پروفایل ناخالصی کانال، میزان نفوذ کانال به درون زیرلایه بیشتر شده، مقاومت کانال کاهش یافته و در نتیجه جریان درین افزایش مییابد. در واقع با افزایش پارامتر انحراف از معیار پروفایل گوسین تراکم ناخالصی لایه هم بافته کانال، تراکم ناخالصی کانال افزایش یافته که در نتیجه ولتاژ آستانه کاهش خواهد یافت

ترانزیستور کاشت-رشد همبافته ماسفت، تراکم ناخالصی کانال، پارامتر انحراف از معیار، پروفایل گوسین، ولتاژ آستانه