بررسی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستور نانوسیمی بدون پیوند معمول و مقایسه آن با ساختار ترانزیستور بدون پیوند تحت کرنش

افزایش کار آیی در ماسفت ها با کوچک کردن ابعاد افزاره ها و ورود به نظام نانو متری حاصل می شود. ترانزیستورها در ابعاد نانو با توجه به مزیت های آن، مشکلاتی را پدید می آورد که به آثار کانال کوتاه معروفند که موجبضعف عملکرد و افزایش توان تلفاتی در این افزاره ها می گردد. در این مقاله اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهاینانو سیمی بدون پیوند معمول و نانو سیمی بدون پیوند تحت کرنش، مانند ولتاژ آستانه، DIBL جریان حالت روشن و خاموش بررسی شده است. همچنین، مشخصه های الکتریکی دو ساختار مقایسه گردیده است. تحلیلهای عددی نشان می دهد استفاده از کرنش در ساختار ترانزیستورهای نانو سیمی بدون پیوند موجب افزایشجریان حالت روشن، کاهش مقدار DIBL، افزایش ولتاژ آستانه و بهبود مشخصه های الکتریکی می شود.

Keywords:

آثار کانال کوتاه , ترانزیستور نانو سیمی بدون پیوند , مقیاس نانو