طراحی تقویت کننده کم نویز دو طبقه با بهره بالا

یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع فرکانس بالا ، تقویت کننده های کم نویز LNA است. LNA نوع خاصی از تقویت کننده های الکترونیکی است که برای تقویت سیگنال های گرفته شده از آنتن بکار می رود ، استفاده از LNA سبب می شود که نویز طبقات بعد بوسیله بهره LNA کاهش یابد ولی نویز LNA به طور مستقیم در سیگنال دریافتی تزریق می شود ، برای داشتن حداقل نویز تقویت کننده باید تقویت مطلوبی در طبقه اول داشته باشد .از تکنولوژی ترانزیستور CMOS بدلیل قابلیت تحمل توان پایین، ارزان بودن این تکنولوژی نسبت به سایر تکنولوژی ها و قابلیت تجمیع بالا در طراحی تقویت کننده های کم نویز استفاده می شود. با کوچکتر شدن تکنولوژی پهنای باند تقویت کننده نیز افزایش می یابد بنابراین در فرکانس های بالا نیز پرکاربرد است .در این مقاله یک مدار تقویت کننده کم نویز در تکنولوژی 1.13um ارایه شده است، که از اتصال دو طبقه مدار LNA تشکیل شده است که طبقه اول گیت مشترک با ساختار کسکود است و طبقه دوم نیز ساختار گیت مشترک با تکنیک حذف نویز می باشد. مدار در محدوده فرکانسی بین 32GHz1 به خوبی جواب می دهد، و دارای بهره حدود 32dB است. این مدار را در اینجا با تکنولوژی 0.12um و با ولتاژ تغذیه 1.8V طراحی می کنیم.

Keywords:

تقویت کننده کم نویز , بهره , تطبیق ووردی , عدد نویز , توان مصرفی