A novel DC contact RF MEMS switch with high actuation area and low actuation voltage

Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 551

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISME25_084

تاریخ نمایه سازی: 13 شهریور 1396

Abstract:

RF MEMS switches have attracted more attention in recentyears. They are widely used in telecommunication systems,radars, satellites and medical and industrial applications. Inthis paper, a DC contact RF MEMS switch is proposed witha new mechanical structure which reduces the actuatingvoltage to 7V which is better than many other DC contactRF MEMS switches introduced already. New switchstructure causes the spring constant to decrease to 4.4N/m.The switch is made of gold with the thickness of 2um. Theproposed structure is simulated by Comsol in order toevaluate mechanical specifications. The maximum VonMises stress of the switch is 9.03MPa which is acceptablefor silicon made structures.

Keywords:

DC contact RF MEMS switch- Low actuationvoltage- Spring structure- Von Mises Stress

Authors

Hassan Saffari

Faculty of New Sciences and Technologies, University of Tehran, Tehran, Iran

Reza Askari Moghadam

Faculty of New Sciences and Technologies, University of Tehran, Tehran, Iran

Mohammad Tahmasebi pour

Faculty of New Sciences and Technologies, University of Tehran, Tehran, Iran