طراحی سلول نیم جمع کننده سه ارزشی با استفاده از جمع خازنی در منطق DCVS

مدارهای DCVS از جمله ساختارهای شناخته شده در طراحی مدارهای مجتمع هستند. این روش طراحی منجر به تولید همزمان دو خروجی می شود. به دلیل وجود افزونگی ذاتی در ساختار داخلی، از این مدارها معمولا در کاربردهای تشخیص خطا استفاده می کنند. سرعت بالا از دیگر مزایای این طرح است. در این مقاله، یک نیم جمع کننده سه ارزشی بر این اساس و با استفاده از جمع خازنی ارایه می شود. طرح پیشنهادی نمونه منحصربفردی است که تا جایی که نویسندگان این مقاله اطلاع دارند، قبلا مشابه آن وجود نداشته است. طراحی مدار با استفاده از ترانزیستورهای نانو لوله کربنی انجام می شود. این فنآوری نوظهور به عنوان اصلی ترین جایگزین ترانزیستورهای ماسفت در آینده شناخته می شود که قابلیت های زیادی به ویژه برای طرح های چند ارزشی ایجاد می کند. شبیه سازی هایی که با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 32 نانو متر انجام گرفته است نشان از استحکام و سرعت بالای مدار پیشنهادی دارد.

Keywords:

منطق چند ارزشی , منطق سه ارزشی , نیم جمع کننده , مدار DCVS , جمع خازنی , ترانزیستورهای نانو لوله کربنی , نانوالکترونیک