تحلیل رفتار چگالی حاملهای بار روی یک سطح گرافنی تحت بایاس دردو مدل ظرفیت کوانتومی و کلاسیکی
Publish place: Journal of Science and Engineering Elites، Vol: 2، Issue: 2
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 406
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SEE-2-2_033
تاریخ نمایه سازی: 19 شهریور 1396
Abstract:
در این مقاله چگالی حاملهای بار القاء شده توسط بایاس درگاهی روی یک سطح گرافنی در یک ساختار خازنی مسطح که یک صفحه آن گرافن وصفحه دیگر آن فلز ( درگاه ) است به ازای مقادیر مختلف ولتاژ درگاه محاسبه شده است ؛ سپس ولتاژ درگاهی و ولتاژ در کل ناحیه بین فلز و گرافنیعنی دی الکتریک بدست آمده است. ولتاژ و چگالی حاملها در نقاط مختلف این ساختار با استفاده از جعبه ابزار PDE در نرم افزار متلب به روشظرفیت کوانتومی بررسی و محاسبه شده است . نتایج نشان می دهند که ظرفیت کوانتومی خصوصا برای سیستمهای با چگالی حالت پایین مهم است ( مانند یک سیستم دو بعدی الکترونی در سطح یک دی الکتریک و یا سطح مشترک گرافن ) . در آخر به تحلیل و مقایسه نتایج حاصل از مدل ظرفیتکوانتومی با نتایج مدل ظرفیت کلاسیکی و روش پوآسون - دیراک به عنوان یک روش عددی خود سازگار پرداخته ایم تا نشان دهیم وجه تمایزظرفیت کلاسیکی و کوانتومی در نظر گرفتن تصحیح کوانتومی در مدل کوانتومی است که تنها هنگامی نقش آشکاری ایفا می کند که صفحه فلزی بسیار نزدیک به صفحه گرافن باشد و در این حالت نتایج مدل کوانتومی و روش خودسازگار پوآسون - دیراک یکسانند .
Keywords:
Authors
محمد کریمی
کارشناسی ارشد ، فیزیک اتمی مولکولی، شرکت مخابرات ایران، منطقه آذربایجان غربی، مهاباد، ایران