بررسی میزان نفوذ روی در نیوبا تلیتیم به کمک آنالیز RBS و تعیین گاف نواری و تراگسیل نور توسط اسپکتروفوتومتری

در این تحقیق به بررسی عملی نفوذ حرارتی لایه روی انباشتی بر سطح د یالکتریک نیوبا تلیتیم x-cut (به روش کندوپاش مگنترون - DC) پرداخته شده است. هدف، برقراری ارتباط بین مقدار روی نفوذ دهی شده در نیوبا تلیتیم و تغییرات گاف نواری ساختار حاصل است. آنالیز RBS برای بررسی میزان نفوذ روی در نیوبا تلیتیم و آنالیز اسپکتروفوتومتری برای تعیین تراگسیل نور و گاف نواری نمونه ها به کار رفت. نتایج حاصل از طیف RBS تبادل یون های نئوبیم از زیرلایه با یون های روی از لایه سطحی و همچنین افزایش گرادیان غلظت روی با افزایش دمای نفوذ را نشان می دهد. آنالیز اسپکتروفوتومتری نیز در توافق کامل با نتایج RBS، کاهش اندازه گاف نواری نیوبا تلیتیم د یالکتریک اولیه را با افزایش غلظت روی موجود در آن نشان می دهد.