مطالعه کمی مشخصه I-V بایاس وارون در آشکار سازهای فروسرخ Si/PtSi متخلخل نوع n و p
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,314
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_018
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
Abstract:
در این مقاله به بررسی کمی مشخصه I-V بایاس در آشکار ساز Si/PtSi متخلخل 50% نوع n و p دردماهای 300 و 77 کلوین پرداخته ایم. این داده ها در دمای پایین نشان دهنده رفتاری شکست گونه با ولتاژ شکست مشابه می باشند. مدل محاسباتی ما مبتنی بر فرایند گسیل گرما- یونی الکترون/ حفره با ضرایب ایده آلی بزرگ (n≈100-200) است. نتایج ما حاکی از آن است که در دمای پایین فرایند ترابری حامل ها ترکیب سازوکارهای گسیل گرما- یونی و عمدتا تونلی است. فرایند تونلی می تواند حاصل گسیل قوی میدانی ناشی از حضور میدان های الکتریکی بزرگ در نقاط نوک تیز (با ابعاد میکرومتری) ستون های سیلیکونی و از طریق حالت های سطحی در فصل مشترک سیلیساید- سیلیکون با تراکم بالا از مرتبه 1015cm-2eV-1~ باشد.
Authors
مریم محمدی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد شاهرود
حسین عشقی
دانشکده فیزیک، دانشگاه صنعتی شاهرود