تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال SOI-MOSFET
Publish place: 9th Conference on Condensed Matter
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,386
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_141
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
Abstract:
در این مقاله به بررسی تاثیرات چگونگی توزیع ناخالصی ها در کانال ترانزیستور SOI-MOSFET در ابعاد نانو پرداخته شده است. این بررسی ها با استفاده از شبیه سازی مدل موازنه انرژی و انجام شبیه سازی های یک بعدی و دو بعدی صورت گرفته است. نتایج بدست آمده نشان می دهد که ولتاژ آستانه در اثر توزیع غیریکنواخت ناخالصی ها در زیر گیت دستخوش تغییراتی می شود، که حداکثر این تغییرات در حالت یک بعدی (طولی) حدود 5% و در دو بعدی (طولی و عمقی) حدود 12/5% می باشد
Authors
جعفر احدزاده فرهود بناب
دانشکده فنی مهندسی، دانشگاه تربیت معلم سبزوار، سبزوار- ایران