حسین کلهری - دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شریف
اعظم ایرجی زاد - دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شریف
ابوالقاسم دولتی - دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف
عباس آذریان - دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شریف

نانو سیم ها ی نیم رسانای CdSe به روش الکتروشیمیایی با استفاده از غشا به عنوان بستر سنتز شدند. این نانوسیم ها درون غشای پلی کربنات با متوسط قطر حفرات 80 نانومتر و در الکترولیت شامل CdSO4 و SeO2 در دمای اتاق رشد داده شدند. به کمک منحنی های کرونوآمپرمتری مراحل رشد نانوسیم ها درون غشا بدست آمد. ز نمونه ها در بستر پلی کربنات و پس از خارج کردن از بستر تصاویر SEM تهیه گردید و نسبت ابعادی نانو سیم ها را برابر 25 نشان می داد. توسط آنالیز EDAX نسبت کادمیم به سلنیوم تقریبا برابر بدست آمد. طیف عبور اپتیکی نمونه های درون غشا و درون محلول اتانول نشانگر افزایش شکاف ان رژی محاسبه شده برای نانوسیم ها نسبت به حجم توده ای CdSe بود.