بررسی تاثیر پیکربندی مجدد مدار با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی بر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان مدارهای تمام جمع کنندهمد جریان
Publish place: International Conference on Engineering and Computer Science
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 318
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICCSE01_073
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1396
Abstract:
در این مقاله، چهار مدار تمام جمع کننده مد جریان ارایه شده با فناوری CMOS با هم مقایسه می شوند. سپس این مدارها باا ترانز یستورهایCNTFET پیکربندی مجدد شده اند. پارامتر حاصلضرب تاخیر در مصرف توان آنها در نرم افزار HSPICE و با شرایط یکسان، مقایسه و بهبودتقریبی 15 برابری PDP رویت می شود. ضمن آنکه در پیاده سازی با CNTFET نیاز به خازن بار بزرگ نیست که می تواند منجر به بهبود چندده برابری PDP شود.
Keywords:
تمام جمع کننده , مد جریان , ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی , ماسفت , حاصلضرب تاخیر در مصرف توان
Authors
مهدی میرزایی چرخی
دانشکده مهندسی کامپیوتر، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
سیدمحمدعلی زنجانی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران
مهدی دولتشاهی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد، دانشگاه آزاد اسلامی، نجف آباد، ایران