CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT

عنوان مقاله: بررسی اثر کوچک سازی اندازه گیت و تاثیر لایه سرپوش شاتکی بر روی عملکرد ترانزیستور AlGaN/GaN HEMT
شناسه ملی مقاله: CMC09_228
منتشر شده در نهمین کنفرانس ماده چگال در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:

صدیقه نیکی پار - پژوهشکده فیزیک کاربردی دانشگاه تبریز
اصغر عسگری - گروه فیزیک, دانشگاه تربیت معلم آذربایجان

خلاصه مقاله:
یک مدل تحلیلی جامع برای محاسبه جریان و پارامترهای سیگنال کوچک مانند در این مقاله gm و فرکانس قطع برای قطعه HEMT (ترانزیستور با تحرک پذیری بالا) به منظور بررسی عملکرد میکروویو قطعه ارائه شده است. همچنین وابستگی عملکرد قطعه همت به پارامترهای فیزیکی از جمله اندازه گیت و حضور سر پوش شاتکی مورد بررسی قرارگرفته و مقادیر مناسب پارامتر ها برای بهینه سازی ساختار و بهبود عملکرد قطعه تعیین شده اند.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/64838/