حسن بیدادی - گروه حالت جامد و الکتونیک ، دانشکده فیزیک ، دانشگاه تبریز ،
بیان کریمی - گروه حالت جامد و الکتونیک ، دانشکده فیزیک ، دانشگاه تبریز
فرامرز هادیان - گروه حالت جامد و الکتونیک ، دانشکده فیزیک ، دانشگاه تبریز
علی رحمتی - گروه حالت جامد و الکتونیک ، دانشکده فیزیک ، دانشگاه تبریز

در این کار تجربی لایه های نازک نیتریدمس به روش کندو پاش مگنترونی واکنشی DC بر روی زیر لایه های شیشه ای نهشته شده اند . برای نهشت لایه ها آهنگ شارش آرگن در sccm25 ثابت و آهنگ شارش نیتوزن از sccm15-2/5 تغییر داده شدهاند . آنالیز پراش اشعه ایکس نشان می دهد که فیلم های نیترید مس از طریق عملیات حرارتی در دمای c200 تجزیه می شوند و بررسی های آنالیز UV/VIS/NIR نشان می دهد ککه مقدار گا اپتیکی لایه های نیترید مس در رنجی از 0/8-1/8eV تغییر می کند . این نتایج نشان میدهد که ماده نیترید مس دارای یک پتانسیل عالی برای استفاده در وسایل انبارنده اپتیکی یکبار قابل نوشتن (تک رایت ) می باشد

کندو پا مگنترونی واکنشی ، عملیات حرارتی ، گاف اپتیکی ، انبارنده اپتیکی یکبار قابل نوشتن (تک رایت )