محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs

Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 4,040

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP15_140

تاریخ نمایه سازی: 10 دی 1387

Abstract:

در این مقاله طیف انرژی و ضریب جذب نوری الکترونها ی محدود شده در نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی برپایهی تقریب جرم موثروبه روش بسط موج تخت است نتایج بدست آمده نشان میدهد که ساختار الکترونیکی، قدرت نوسان کنندگی و ضریب جذب نوری انتقا لات بین ترازی به پارامترهای سامانه ی وابسته بوده و با افزایش حجم قدرت نوسان کنندگی افزایش و ضریب جذب کاهش مییابد

Authors

هاجر، کاویانی باغبادرانی.

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

منوچهر، کلافی.

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

اصغر عسگری

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • Harrison, P., Quantum wire wells and dots, 456John Wiley (1999). ...
  • P. Boucaud, S. Sauvage, Infrared ph otodetection with _ iconductor ...
  • Ngo, C.Y., Effect of size and shape on electronic states ...
  • S.S. Li, K. Chang, J.B Xia, Effective-mass theory for hierarchical ...
  • Steiner, T., S emiconductor Nanos tructures for Op toelectronic App ...
  • . Gunawan, O., Djie H.S., Ooi, B.S, Electronics stautes of ...
  • نمایش کامل مراجع