ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings
Login |Register |Help |عضویت کتابخانه ها
Paper
Title

یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET)

Year: 1395
COI: EMAA08_041
Language: PersianView: 269
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download

Buy and Download

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این Paper را که دارای 9 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

Authors

مرتضی نجاری الموتی - گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق، واحد تهران غرب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
سید حسین پیشگر کومله - گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق، واحد تهران غرب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
مهدی اسلامی - گروه مهندسی برق، دانشکده مهندسی برق، واحد تهران غرب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

Abstract:

با کاهش ویژگی اندازه در حوزه نانو، تکنولوژی CMOS با مشکلات و چالش هایی جدی مانند چگالی توان بالا، کاهش کنترل گیت، اثرات کانال کوتاه و حساسیت بالا تغییرات پروسه مواجه شده است. ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی (CNTFET) به عنوان یکی از جانشینان احتمالی برای تکنولوژی MOSFET معمولی مبتنی بر سیلیکون می باشد. در این مقاله، طراحی و شبیه سازی تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و توان پایین براساس ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی با نرم افزار HSPICE و تکنولوژی 32 نانومتر CMOS و CNTFET به انجام رسیده است. یک ساختار تقویت کننده عملیاتی جدید مبتنی بر نانو لوله های کربنی پیشنهاد شده و با تقویت کننده عملیاتی CMOS مرسوم مقایسه شده است. مشاهده شد که تقویت کننده عملیاتی مبتنی بر نانو لوله های کربنی عملکرد بالایی در مقایسه با تقویت کننده عملیاتی CMOS دارد. برای طرح پیشنهادی با ولتاژ تغذیه 0/9 ولت، بهره 77/87 دسی بل و فرکانس بهره واحد 7/23 مگاهرتز بدست آمد. با مقایسه طرح پیشنهادی با تقویت کننده مرسوم مشاهده کردیم که بهره در طرح پیشنهادی به اندازه 4/19 دسی بل بهبود یافته و فرکانس بهره واحد نیز به اندازه 1/52 برابر افزایش یافته است.

Keywords:

بهره بالا , تقویت کننده عملیاتی , توان پایین , ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET ) , میکرو توان

Paper COI Code

This Paper COI Code is EMAA08_041. Also You can use the following address to link to this article. This link is permanent and is used as an article registration confirmation in the Civilica reference:

https://civilica.com/doc/651377/

How to Cite to This Paper:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the resources section:
نجاری الموتی، مرتضی و پیشگر کومله، سید حسین و اسلامی، مهدی،1395،یک تقویت کننده عملیاتی بهره بالا و ولتاژ پایین بهبود یافته با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی ( CNTFET)، 8th Concferenceof on Recent Research in Science and Technology،Kerman،https://civilica.com/doc/651377

Research Info Management

Certificate | Report | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این Paper را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:
Type of center: Azad University
Paper count: 2,812
In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

New Papers

Share this page

More information about COI

COI stands for "CIVILICA Object Identifier". COI is the unique code assigned to articles of Iranian conferences and journals when indexing on the CIVILICA citation database.

The COI is the national code of documents indexed in CIVILICA and is a unique and permanent code. it can always be cited and tracked and assumed as registration confirmation ID.

Support