استفاده از کلید نیمه هادی بجای تایروترون در لیزر برمید مس
Publish place: 1st Iranian Conference on Photonics Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,553
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
PHOTONICS01_011
تاریخ نمایه سازی: 13 دی 1387
Abstract:
در این مقاله ساخت یک مولد تپ جهت دمش لیزر برمید مس با استفاده از کلید IGBT مطرح می گردد.انرژی ذخیره شده در خازن اصلی از طریق کلید فوق در اولیه ی ترانسفورماتور تپ افزاینده اعمال شده و در ثانویه ی ترانسفورماتور پس از دو طبقه متراکم سازی بازمان خیزشی کمتر از 60نانو ثانیه روی لوله لیرز اعمال می گردد.دمای لوله لیزر 410درجه و توان متوسط خروجی آن در نرخ تکرار 10کیلو هرتز 50ملی وات اندازه گیری شد.
Keywords:
پالس سریع -کلید مغناطیسی- لیزر برمید مس-متراکم کننده تپ
Authors
منصور زند
پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران
رسول بری
پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران
بختیار کیا
پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران
رضا نشاطی
پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :