شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی با استفاده از مدل مداری
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 446
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNNN01_132
تاریخ نمایه سازی: 4 مهر 1396
Abstract:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی با استفاده از تقریب تکه ای مربوط به چند جمله ای مرتبه سوم چگالی بارهای متحرک غیر تعادلی شبیه سازی می شود. با استفاده از این تقریب سرعت حل خودسازگار معادله ولتاژ مستخرج از مدل مداری برای ترانزیستور نانو لوله کربنی مهت محاسبه مریان درین تا 100 برابر بیشتر می شود . تاثیر پارامترهایی مانند سطح تراز فرمی و قطر نانولوله بر منحنی مریان درین-ولتاژ درین ترانزیستور اثر میدان نانو لوله کربنی بررسی می شود
Keywords:
Authors
حمید عظیمی زاده
گروه مهندسی برق-الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند ، دانشگاه آزاد اسلامی ، دماوند ، ایران
حجت الله خواجه صالحانی
گروه مهندسی برق-الکترونیک، واحد دماوند ، دانشگاه آزاد اسلامی ، دماوند ، ایران.