بررسی بازده سلول های خورشیدی سیلیکونی با پوششTiO2در دو حالت پلی کریستال و تک کریستال با استفاده از نقاط کوانتومی

در فناوری سلول های خورشیدی از هر نوع مواد نیمه هادی میتوان استفاده کرد. این فناوری میتواند درها را به سوی استفاده از مواد نیمه هادی ارزان قیمت مانند اکسیدهای فلزی باز کند.در این فناوری که ما ارایه کردیم میتوان با اعمال میدان الکتریکی از مواد نیمه هادی غیر سمی که به وفور در طبیعت یافت میشونداستفاده کرد. پیلهای خورشیدی با استفاده از مواد نیمه هادی پرتو خورشید را به الکتریسته تبدیل میکنند که به آن فتولتاییک گفته میشود، به این معنا که پرتوهای خورشید موجب خارج شدن الکترون و ایجاد جریان الکتریکی می شود. این سیستم یک منبع تولیدانرژی بسیار پاکیزه و ارزان است. اما در تولید این پیلها از مواد نیمه هادی گران قیمت استفاده میشود، موادی نظیر تلورید کادمیم و سیلند گالیم ایندیم مس. بنابراین هزینه تولید پیلها افزایش یافته که مانعی بر سر گسترش استفاده از انها به حساب می آید.در این پژوهش به بررسی تا ثیر سلول های خورشیدی پلی کریستال و تک کریستال بر جذب نور، دانسیته جریان، زمان ماندگاری بر حسب ولتاژ و ولتاژ مدار باز با استفاده از نقاط کوانتومی می پردازیم و در تمامی شرایط، سلول خورشیدی تک کریستال شرایط بهتری را دارا می باشد، درنتیجه سلول خورشیدی تک کریستال بازده بیشتری نسبت به حالت پلی کریستال خواهد داشت.

Keywords:

سلول خورشیدی پلی کریستال سیلیکون , سلول خورشیدی تک کریستال سیلیکون , جذب , دانسیته جریان , ولتاژ مدار باز