CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO

عنوان مقاله: افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO
شناسه ملی مقاله: KAUCEE01_138
منتشر شده در کنفرانس ملی پژوهش های نوین در برق، کامپیوتر و مهندسی پزشکی در سال 1396
مشخصات نویسندگان مقاله:

مهدی کردی - دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
حسین سرآبادانی - استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
شعبان رضایی برجلو - استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان

خلاصه مقاله:
ایجاد لایه ی اکسید انباشته ی SnO2 به عنوان بافر در سلول خورشیدی CdTe/CdS و همچنین مقایسه ی آن با لایه ی ZnO از جنبه های نو این پژوهش می باشد. جایگزینی لایه ی اکسید شفاف SnO2 با ضخامت 60 نانومتری و شبیه سازی در محیط نرم افزاری کامسول، به ولتاژی بهتر از دو حالت قبل یعنی 0/65 ولت در مقایسه با 0/46 ولت حاصل از به کارگیری لایه ی ZnO دست یافتیم.

کلمات کلیدی:
لاتین SnO2، ZnO ، کامسول، سلول خورشیدی

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/658158/