محسن حاتمی نیا - کارشناس ارشد شیمی دانشگاه آزاد اسلامی، واحد سنندج
فرزاد مولایی - استادیار گروه شیمی، دانشگاه آزاد اسلامی سنندج
سیروان محمدی آذر - استادیار گروه شیمی دانشگاه آزاد اسلامی، سنندج

خواص ساختاری و الکترونی هتروفولرن های نیم رسانای (A1B(11), N(12), B(12)N(12 و (B(12)PN(11 به عنوان جاذب گازهای سمی H(2)S و (SO(2 بر اساس محاسبات نظری تابعی چگالی انجام شد. برای تمام ترکیب ها، پارامترهای ساختاری، شکاف انرژی، تجزیه و تحلیل طبیعی جمعیت، چگالی جزیی سطح، ممان دوقطبی و فرکانس های ارتعاشی استخراج شد. فرایند جذب و حساسیت گازها در فولرن (B(12)N(12 با داپت کردن اتم های Al و P افزایش پیدا می کند. نتایج نشان داد که در میان فقسه های مورد مطالعه، ساختار (B(12)PN(11 دارای حساسیت بیشتری است. در ارزیابی های انجام شده (B(12)PN(11 نتایج خوبی از خود برای انتقال بار با گاز نشان داد. جذب H(2)S اثرات کمتری بر ریو خواص الکترونی دارد، بنابراین به عنوان جاذب با حساسیت کمتری دسته بندی می شود. H(2)S و (SO(2 به ترتیب به عنوان مولکول های الکترون دهنده عمل می کنند. قابل ذکر است که چذب گازهای ذکر شده بیش از حد گرمازایی دارد. نسبت به گاز سولفور دی اکسید، دی هیدروژن سولفید به صورت ضعیفی جذب جاذب ها می شود. به طور کلی، (AlB(11)N(12 واکنش پذیری بیشتری نسبت به (B(12)N(12 دارد و همچنین قفسه (B(12)PN(11 بیشترین واکنش پذیری را نسبت به مولکول های گاز دارد. این بررسی برای توسعه (B(12)N(12 بر اساس سنسورهای گازی مفید و مبنای نظری برای Al و P داپت شده در (B(12)N(12 برای ساخت سنسورهای گازی را فراهم می کند.

؛(B(12)N(12)، داپت فسفر، داپت الومینیوم، ساختار الکترونیکی، سنسور