کمانش غیرموضعی نانوسیم ها تحت میدان مغناطیسی
Publish place: نهمین همایش ملی مهندسی مکانیک
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 409
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCOFME09_112
تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396
Abstract:
در این مقاله کمانش نانوسیمها در ابعاد مختلف و در فضای سه بعدی بررسی شده است. نانوسیم تحت میدان مغناطیسی قرار دارد. معادلات حاکم بر نانوسیم تحت تیوری تیر تیموشنکو میباشد. معادلات حاکم توسط معادلات نیروی لورنتس و تیوری گورتین مورداچ تکمیل شده است. معادلات نهایی توسط تیوری ارینگن به صورت غیرموضعی تبدیل و تحلیل شده است. نتایج بدستآمده نشان میدهد با افزایش قطر نانوسیم مقدار بار کمانش بحرانی افزایش مییابد. همچنین افزایش پارامتر مقیاس کوچک باعث کاهش مقدار بار کمانش بحرانی میشود.
Keywords:
کمانش , نانوسیم , میدان مغناطیسی , تیوری تیر تیموشنکو , تیوری گورتین مورداچ , تیوری ارینگن و نیروی لورنتس
Authors
شاهین فروتن
دانشجوی کارشناسی، دانشکده مهندسی مکانیا، واحد خمینی شهر، دانش اه آزاد اسلامی، خمینی شهر، اتفهان، ایران
امین حق شناس
دانشجوی کارشناسی، دانشکده مهندسی مکانیا، واحد خمینی شهر، دانش اه آزاد اسلامی، خمینی شهر، اتفهان، ایران
محمد هاشمیان
استادیار، دانشکده مهندسی مکانیا، واحد خمینی شهر، دانش اه آزاد اسلامی، خمینی شهر، اتفهان، ایران
سیدعلی افتخاری
استادیار، دانشکده مهندسی مکانیا، واحد خمینی شهر، دانش اه آزاد اسلامی، خمینی شهر، اتفهان، ایران