واکاوی تکنولوژی ساخت ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی با رویکرد کاهش ابعاد در مقیاس نانو

پیشرفت های اخیر صورت گرفته در حوزه طراحی مدارت VLSI نشان می دهد که ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی در طول سالیان متمادی پتانسیل زیادی جهت فرآیند کوچک سازی و کاهش ابعاد در راستای تحقق قانون گوردن مور از خود نشان داده اند . مهمترین ویژگی های عملکردی این قبیلترانزیستورها در مقایسه با همتایان، تداوم افزایش سرعت عملکرد و کاهش توان تلفاتی همگام با روند کوچک سازی ابعاد در مقیاس نانو می باشد. اما با وجود مزایایی که در فرآیند کوچک سازی این قبیل ترانزیستورها رخ می دهد محدودیت های گسترده ای نیز ناشی از این امر پدید می آید که بیشتر اینمحدودیت ها از دیدگاه کوانتومی مطرح می گردد. از اینرو با ظهور تکنولوژی های جدید از قبیل ترانزیستورهای نانو لوله کربنی و رفع بسیاری از چالش های مطرح شده توسط آنها می توان انتظار داشت که در آینده ای نزدیک باید شاهد پایان عمر ترانزیستورهای CMOS سیلیکونی باشیم

Keywords:

ترانزیستور CMOS سیلیکونی , ترانزیستور نانو لوله کربنی , چالش های کوانتومی , لیتوگرافی , کاهش ابعاد , مقیاس نانو