اثر اسپین-مدار ذاتی بر ساختار الکترونی نانو نوارهای سیلیسنی لبه زیگزاگ

مقدمه: با کشف گرافن در یک دهه ی اخیر توجه زیادی بر روی ساختارهای دوبعدی معطوف شد]1[. سیلسن را می توان دومین ساختار جذاب از دسته ساختارهای دوبعدی دانست که از نظر ساختار الکترونیکی همانند گرافن دارای عدم گاف نواری است]2[. در این مقاله اثر اسپین-مدار ذاتی در نانونوارهای سیلیسنی لبه زیگزاگ را مورد بررسی قرار می دهیم. نشان خواهیم داد گاف نواری مورد نیاز جهت استفاده در ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر سیلیسن با اضافه کردن این برهمکنش به سامانه ایجاد خواهد شد.روش های محاسباتی: در این مقاله، با استفاده از فرمول بندی اسلیتر و کوستر در تقریب تنگ-بست به بررسی نانونوارهای سیلیسنی با لبه ی زیگزاگ با پهنای دو اتم در حضور اثر اسپین-مدار ذاتی می پردازیم. هامیلتونی سامانه در حضور اثر اسپین-مدار مدل بستگی قوی چند-نواری به صورت زیر نوشته می شود:]3[(1) که در رابطه ی1 H0 هامیلتونی در روش تنگ-بست چند نواری و HSO بخشی از هامیلتونی است که شامل برهمکنش اسپین-مدار می شود. ساختار الکترونی 2-ZSiNR در حضور از اسپین-مدار(a) و ساختار الکترونی ساختار الکترونی 2-ZSiNR در غیاب اثر اسپین-مدار.یافته ها، بحث و نتیجه گیری: با توجه به شکل1 اثر اسپین-مدار ذاتی باعث ایجاد گاف نواری در سطح فرمی شده است. همچنین با تغییر نوارهای باندهای زیگما انتظار داریم خواص اپتیکی سامانه نیز دستخوش تغییرات شده باشد. لذا قابل پیش بینی است که بتوان از نانونوارهای سیلیسنی با لبه ی زیگزاگ در نانوترانزیستورهای اثر میدانی مبتی بر نانونوارهای سیلیسنی بهره برد

Keywords:

نانونوارهای سیلیسنی , اثر اسپین-مدار ذاتی , تقریب تنگ-بست چند نواری