تحلیل و بهبود بازده سلول خورشیدی CIGS با مهندسی لایه جاذب
Publish place: کنفرانس بین المللی تحقیقات بنیادین در مهندسی برق
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 467
This Paper With 11 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEEC01_151
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
Abstract:
در این مقاله سلول خورشیدی CIGS با چهار لایه جاذب (CuIn(0.62), Ga(0.38), Se(2), CuIn(0.37), Ga(0.63, Se(2), CuGaSe(2 و (CuInSe(2 با استفاده از نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. چهار لایه جاذب از نوع p و به ترتیب شکاف انرژی 1/7، 1/394، 1/219 و 1 الکترون- ولت دارند. برای بهبود ساختار سلول خورشیدی، تاثیر ضخامت و چگالی ناخالصی این چهار لایه بطور همزمان برای رسیدن به بالاترین مقدار بازده بررسی شده است. نتایج شبیه سازی سلول خورشیدی نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه های جاذب نور بیشتری در سلول خورشیدی جذب خواهد شد و جریان سلول خورشیدی افزایش خواهد یافت. در ضخامت 2 میکرومتر تمام نور ورودی جذب شده و جریان نوری به حالت اشباع خواهد رسید. با افزایش چگالی ناخالصی لایه های جاذب احتمال بازترکیب زوج الکترون- حفره نوری افزایش می یابد و جریان نوری سلول خورشیدی کاهش خواهد یافت. این در حالیست که با افزایش چگالی ناخالصی ولتاژ مدار باز افزایش خواهد یافت.
Keywords:
Authors
حسین کمری
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد دماوند، گروه الکترونیک، دماوند، ایران
حجت الله خواجه صالحانی
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد دماوند، گروه الکترونیک، دماوند، ایران- مرکز تحقیقات انرژی های تجدید پذیر، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران